时间：2025/5/13 12:57:07
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50N10是一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高频开关和低导通损耗的场景。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称，适用于中小功率电子设备。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：6.4A
导通电阻：37mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：10nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间39ns，上升时间15ns，关断延迟时间18ns，下降时间10ns
功耗：1.9W
工作温度范围：-55℃至+150℃
50N10具有较低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
其栅极电荷较小，有助于实现快速开关，减少开关损耗。
该器件的工作温度范围较宽，能够在恶劣环境下保持稳定性能。
采用TO-252小型表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计。
具备较强的抗雪崩能力和鲁棒性，适合多种应用需求。
50N10常用于消费类电子产品中的电源管理电路，如笔记本电脑适配器、手机充电器等。
在工业领域，可用于小型电机驱动、逆变器控制以及各种开关电源模块。
还适用于LED照明驱动电路中，提供高效的开关性能和稳定性。
此外，也可用于音频放大器的保护电路或负载切换开关。
IRF540N, FQP18N10, STP12NM10
